Закрыть ✖
Нажимая на кнопку "Позвоните мне!" я даю свое согласие на обработку персональных данных и принимаю условия соглашения
Нажимая на кнопку "Позвоните мне!" я даю свое согласие на обработку персональных данных и принимаю условия соглашения
Выберите Ваш регион:
А
Б
В
К
Л
М
Н
П
С
Т
Ч
Характеристика работ. Подготовка пластин кремния, заготовокмасок, ситалловых, керамических, металлических и стеклянных пластин смаскирующим слоем перед нанесением светочувствительного покрытия (обезжириваниеи декапирование, промывка, сушка). Нанесение и сушка светочувствительногопокрытия; контроль качества выполненной работы (оценка клина проявления,неровности края, замеры линейных размеров с помощью микроскопа МИИ-4). Сушказаготовок в термостате. Удаление светочувствительного покрытия в случаенеобходимости. Формирование партии пластин для обработки на автоматизированномоборудовании. Разбраковка изделий по параметру неплоскостности, по внешнемувиду, по номеру фотолитографии, по типономиналу. Химическая очистка и мытьепосуды. Приготовление хромовой смеси.
Должен знать: наименование и назначение важнейших частей ипринцип действия обслуживаемого оборудования (центрифуга, ванна, сушильныйшкаф); назначение и условия применения специальных приспособлений и приборовдля контроля процесса; основные свойства фоторезистов; назначение и работумикроскопов; состав и основные свойства светочувствительных эмульсий, правилахранения и использования их; основные химические свойства применяемыхматериалов.
Примеры работ
1. Детали листовые декоративные из меди и медных сплавов -изготовление методом фотохимического травления.
2. Заготовки масок - обезжиривание, декапирование,промывание, сушка, нанесение светочувствительного слоя.
3. Заготовки печатных плат - зачистка, декапирование, промывание,сушка.
4. Заготовки пластин, прокладки, изготовленные методомфотохимфрезерования - обезжиривание, сушка.
5. Маски, пластины, фотошаблоны - промывание, сушка,нанесение светочувствительного слоя, задубливание фотослоя.
6. Микросхемы интегральные гибридные типа "Посол"- сушка и полимеризация фоторезиста.
7. Микросхемы пленочные и металлизированные фотошаблоны -изготовление фотохимическим методом.
8. Пластины полупроводниковые и диэлектрические, ферриты -обезжиривание, декапирование, промывание, сушка.
9. Подложки ситалловые - снятие фоточувствительного слоя.
10. Стекла 700 x 700 x 3 - очистка и обработка ацетоном,полив вручную гравировальной жидкостью.
Характеристика работ. Проведение фотолитографическихопераций по совмещению элементов рисунка топологии схемы на пластине ссоответствующими элементами на фотошаблоне с точностью +/- 5 мкм на установкахсовмещения и экспонирования. Экспонирование, проявление и задубливаниефотослоя, а также травление различных материалов (окиси кремния, металлов имногокомпонентных стекол, включая многослойные структуры из различных металлов)по заданным в технологии режимам. Контроль качества травления. Термообработка,отмывка фотошаблонов в процессе их эксплуатации. Приготовление растворов дляпроявления, травления. Фильтрация фоторезиста. Снятие фоторезиста в кислотах,органических растворителях. Защита поверхности пластин пассивирующей пленкой.Контроль качества клина, проявления и травления на микроскопах. Измерениевязкости фоторезиста.
Должен знать: назначение, устройство, правила и способыподналадки оборудования, приспособлений и инструмента (микроскопов,ультрафиолетовой и инфракрасной ламп, термостата, контактных термометров ивискозиметров); режимы проявления фотослоев; технологические приемы травленияразличных материалов (окись кремния, металлы и др.); подбор времениэкспонирования и травления; основные свойства фоточувствительных эмульсий и ихкомпонентов.
Примеры работ
1. Заготовки масок, ферритовые металлизированные пластины -получение копии изображения схемы (экспонирование, проявление, дубление,окрашивание, промывание и т.д.).
2. Маски биметаллические - изготовление методомфотохимического травления.
3. Микросхемы интегральные гибридные типа "Посол"- нанесение фоторезиста; проявление изображения; удаление фоторезиста.
4. Микротрасформаторы планарные - проведениепоследовательного ряда фотохимических операций.
5. Пластины - нанесение фоторезиста; ретушь фоторезиста всоляной кислоте.
6. Пластины кремния - нанесение, сушка, совмещениенекритичных фотогравировок; экспонирование, проявление, задубливание фотослоя.
7. Платы печатные и пластины, изготовляемые методомфотохимфрезерования - проявление и удаление фоторезиста.
8. Пленочные схемы СВЧ - проведение циклафотолитографических операций.
9. Подложки ситалловые - травление, экспонирование.
Характеристика работ. Проведение всего циклафотолитографических операций с разными материалами на одном образце с точностьюсовмещения +/- 2 мкм. Травление многослойных структур (AL-MO-AL) и сложныхстекол (ФСС, БСС). Подбор и корректировка режимов нанесения, экспонирования,проявления, травления в зависимости от применяемых материалов в пределахтехнологической документации. Отмывка фотошаблонов, нанесение, сушкафоторезиста, проявление, задубливание, травление на автоматических линиях.Определение толщины фоторезиста и глубины протравленных элементов с помощьюпрофилографа, профилометра. Определение адгезии фоторезиста и плотностипроколов с помощью соответствующих приборов. Замер линейных размеров элементовпод микроскопом. Совмещение маски и фотошаблона по реперным модулям иэлементам. Определение процента дефектных модулей на фотошаблоне в процессеэксплуатации. Ретушь копии схемы с помощью микроскопа. Аттестациягеометрических размеров элементов на маске и пластине кремния с помощьюмикроскопов с точностью +/- 3 мкм, на фотошаблоне - с точностью +/- 0,2 мкм.Проведение процесса двухсторонней фотолитографии. Определение неисправностей вработе установок и автоматического оборудования и принятие мер к их устранению.
Должен знать: устройство, правила наладки и проверки наточность поддержания технологических режимов всех установок автоматов, входящихв технологическую линию фотолитографии; правила настройки микроскопов; способыприготовления и корректирования проявляющих и других растворов; последовательностьтехнологического процесса изготовления изделий (транзистора, твердой схемы);причины изменения размеров элементов, неровности краев, недостаточной ихрезкости и методы их устранения; фотохимический процесс проявленияфоточувствительных эмульсий; способы определения дефектов на эталонных ирабочих фотошаблонах; основы электротехники, оптики и фотохимии.
Примеры работ
1. Диоды, ВЧ-транзисторы, фотошаблоны с размерами элементовболее или равными 10 мкм - проведение всего цикла фотолитографических операций.
2. Заготовки масок - электрохимическое никелирование.
3. Микротранзисторы и твердые схемы - проведение полногоцикла фотохимических операций при изготовлении.
4. Микросхемы интегральные гибридные типа "Посол"- проведение процессов экспонирования с предварительным совмещением, травление.
5. Микросхемы - проведение полного цикла фотохимическихопераций при изготовлении.
6. Пластина - проведение полного цикла фотолитографическихопераций, защита фоторезистом; непланарная сторона пластины - защита.
7. Пластины, фотошаблоны после фотолитографии - контролькачества поверхности под микроскопом МБС.
8. Пластины ИС с размерами элементов более 10 мкм -контроль качества проявления, травления.
9. Платы печатные, микросхемы СВЧ - травление.
10. Подложки, подложки ситалловые, микросхемы СВЧ -нанесение фоторезиста с помощью центрифуги с контролем оборотов по графику;определение толщины слоя фоторезиста.
11. Поликремний - проведение полного цикла фотолитографии.
12. Проведение процесса фотолитографии для получения рельефаиз напыленных металлов: ванадий + молибден + алюминий с предварительнымсовмещением заданной точности.
13. Проекционная фотолитография - подбор экспозиции ирезкости на установках проекционной фотолитографии.
14. Сетки мелкоструктурные - изготовление методомфотолитографии.
15. Сетки молибденовые и вольфрамовые - травление.
16. Теневая маска для цветных кинескопов - контролькачества отверстий и поверхности под микроскопом; исправление дефектов подмикроскопом.
17. Фотошаблоны эталонные - изготовление.
18. Фотошаблоны - контроль качества поверхности подмикроскопом МБС или МБИ-11; контроль размеров на соответствие с паспортнымиданными под микроскопом МИИ-4.
Характеристика работ. Проведение фотолитографическихопераций по изготовлению: теневых масок со сложной конфигурацией иассиметричным расположением отверстий; совмещенных микросхем, состоящих изполупроводниковой активной подложки с напыленными пленочными элементами;выводных рам для интегральных схем, трафаретов и других узлов и деталей,требующих прецизионной обработки. Проведение фотолитографических операций намногослойных структурах с размерами элементов менее 1 мкм с точностьюсовмещения +/- 1 мкм. Выбор и корректировка оптимальных режимов проведенияфотолитографических процессов в зависимости от типа подложки, применяемыхматериалов и результатов выполнения технологических операций, с которыхпоступает данное изделие. Работа на установке совмещения с точностью совмещения+/- 2 мкм. Обслуживание установки совмещения; контроль освещенности рабочейповерхности, зазоров и давления. Определение величины рассовмещения комплектаэталонных и рабочих фотошаблонов, определение оптической плотности фотошаблоновна микроинтерферометре и микрофотометре, определение оптической прозрачноститеневых масок на денситометре с точностью до 2 мкм. Оценка качествафотолитографии (качества травления, величины рассовмещения, неравномерностикрая, контроль соответствия топологии на пластине конструкторскойдокументации). Нанесение светочувствительных эмульсий и проведение процессафотоэкспонирования для получения заготовок маски и растворов цветногокинескопа.
Должен знать: конструкцию, механическую, электрическую иоптическую схемы установок совмещения различных моделей; правила определениярежимов процесса прецизионной фотолитографии для изготовления твердых исовмещенных микросхем; правила настройки и регулированияконтрольно-измерительных приборов; принцип действия и правила работы наустановке сравнения фотошаблонов, микроинтерферометре, микрофотометре,денситометре; способы крепления и выверки пластин для многократного совмещения;основы физико-химических процессов фотолитографического получения микросхем.
Примеры работ
1. Магнитные интегральные схемы - проведение полного циклафотолитографических операций.
2. Маски теневые и совмещенные микросхемы - проведениеполного цикла фотолитографических операций с самостоятельной корректировкойрежимов работы.
3. Пластины БИС, ВЧ (СВЧ) транзисторов с размерамиэлементов менее 10 мкм - проведение всего цикла фотолитографических операций.
4. Пластины, изготавливаемые методом химфрезерования, -вытравливание контура с контролем процесса травления под микроскопом; контрольготовых пластин.
5. Платы печатные и пластины, изготавливаемые методомхимфрезерования - нанесение фоторезиста на заготовку с определениемравномерности покрытия по толщине; экспонирование с предварительным совмещениемфотошаблона.
6. Транзистор, диоды - совмещение с точностью от 2 мкм иболее.
7. Фоторезист - фильтрация через специальныеприспособления.
8. Фотошаблоны - контроль качества под микроскопом сразбраковкой по 5 - 10 параметрам; изготовление на фотоповторителях.
9. Фотошаблоны рабочие и эталонные - определение рассовмещениякомплекта на установке сравнения фотошаблонов.
10. Фотошаблоны эталонные - подготовка к контактной печати.
Характеристика работ. Проведение всего циклафотолитографических операций по изготовлению микросхем и пластин различныхтипов с размерами элементов менее 5 мкм и точностью совмещения +/- 0,5 мкм.Обслуживание всех видов установок совмещения, применяемых в прецизионнойфотолитографии. Контроль качества проявленного и травленного рельефа, работа совсеми видами фоторезисторов (негативным и позитивным) с применением любых типовламп ультрафиолетового свечения; самостоятельный подбор и корректировка режимовработы. Выявление и устранение причин, вызывающих низкое качество фотошаблонов впроцессе их изготовления. Аттестация геометрических размеров элементов на маскес помощью микроскопов с точностью +/- 1 мкм. Изготовление сложных фотокопиймасок и растров на пластинках из металла марки МП95-9 и стекла путемнегативного и позитивного копирования с точностью совмещения оригиналов до 1 -2 мкм.
Должен знать: конструкцию, способы и правила проверки наточность оборудования прецизионной фотолитографии различных типов; химические ифизические свойства реагентов и материалов, применяемых в работе; методыопределения последовательности и режимов фотолитографических процессов длямикросхем, дискретных приборов различной сложности; расчеты, связанные свыбором оптимальных режимов ведения процесса прецизионной фотолитографии;методы определения пленок на интерферометрах.
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ
1. Микротранзисторы и твердые схемы - проведение полногоцикла фотохимических операций при изготовлении.
2. Пластины БИС, СБИС, транзисторов, СВЧ-транзисторов сразмерами элементов менее 5 мкм - контроль после задубливания, травления,фотолитографии; классификация по видам брака.
3. Фотошаблоны образцовые прецизионные - изготовлениеопытных партий.
4. Фотошаблоны эталонные - определение пригодностиизготовленного комплекта для производства рабочих копий.
Характеристика работ. Проведение полного циклафотолитографического процесса по изготовлению сверхбольших интегральных схем(СБИС) с размерами элементов 2 мкм, точностью совмещения +/- 0,15 мкм иразмером рабочего модуля 10 x 10 мм. Обслуживание установок совмещения имультипликации всех типов, установок нанесения и сушки, проявления и задубливанияфоторезиста на линии типа Лада-150 с программным управлением. Ввод коррекции насовмещение слоев, оценка значения масштаба и разворота на проекционной печати,качества совмещения внутри модуля и по полю пластины. Ввод рабочих программ дляобеспечения автоматического режима работы оборудования. Определение дефектностифоторезиста и локализация узла оборудования, генерирующего дефекты. Измерениелинейных размеров на автоматическом измерителе типа "Zeltz". Входнойконтроль металлизированного промежуточного оригинала (МПО), подготовка его кработе, сборка и выдача в работу с двухсторонней защитой пелликлом.
Должен знать: конструкцию и принцип работыфотолитографического оборудования с программным управлением; правилапользования автоматической системой управления движением пластин; методыкорректировки технологических режимов формирования фоторезистивных покрытий порезультатам контроля основных характеристик фоторезиста и лака.
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ
1. Металлизированные промежуточные оригиналы (МПО) -изготовление пробных отсъемов; контроль совмещаемости слоев.
2. Пластины СБИС с размером элементов 2 мкм - проведениеполного технологического цикла фотолитографических операций и контроль качествавыполнения их перед проведением плазмохимических процессов.
3. Рамка контактная - проведение полного циклафотолитографических операций.
4. Шаблоны пленочные с допуском несовмещения 15 мкм -проведение полного технологического цикла фотолитографических операций.
Комментарии к профессии. Приведенные тарифно-квалификационные характеристики профессии «Оператор прецизионной фотолитографии» служат для тарификации работ и присвоения тарифных разрядов согласно статьи 143 Трудового кодекса Российской Федерации. На основе приведенных выше характеристик работы и предъявляемых требований к профессиональным знаниям и навыкам составляется должностная инструкция оператора прецизионной фотолитографии, а также документы, требуемые для проведения собеседования и тестирования при приеме на работу. При составлении рабочих (должностных) инструкций обратите внимание на общие положения и рекомендации к данному выпуску ЕТКС (см. раздел «Введение»).
Обращаем ваше внимание на то, что одинаковые и схожие наименования рабочих профессий могут встречаться в разных выпусках ЕТКС. Найти схожие названия можно через справочник рабочих профессий (по алфавиту).
Тарифный (квалификационной) разряд – показатель уровня квалификации работника. Тарифный разряд отражает сложность труда и уровень квалификации работника, а квалификационный разряд характеризует уровень его профессиональной подготовки.
Отметим, что размер оплаты труда находится в прямой зависимости от разряда, присвоенного сотруднику компании. Данный показатель определяется по тарифно-квалификационному справочнику, в котором представлен перечень существующих профессий и видов работ, а также разряд, необходимый для выполнения данных работ.
После прохождения дистанционно-заочного обучения вы сможете повысить ваш разряд не выходя из дома. Стоимость повышения разряда составляет 4000 рублей.
Для того чтобы получить удостоверение (корочку) рабочего или повысить квалификационный разряд, необходимо предоставить документы:
По результатам обучения и итоговой проверки полученных знаний по специальности "Оператор прецизионной фотолитографии" в Пущино выдается:
Удостоверение и свидетельство о повышение квалификации оплачиваются отдельно.
Учебный центр "СЕРТИФИКА-М" является одним из ведущих центров, осуществляющих профессиональную подготовку рабочих (обучение рабочим профессиям), их переподготовку и повышение разряда (квалификации). Обучение рабочим специальностям предполагает под собой постоянное расширение перечня программ. Наш центр обучения регулярно увеличивает количество программ по рабочим специальностям. Более 5500 программ обучения с получением рабочей специальности и повышения квалификации согласно общероссийскому классификатору и ЕТКС для различных отраслей — строительства, транспорта, теплоэнергетики, лесозаготовки, машиностроения и машинообработки. Дистанционная (заочная) форма позволяет пройти обучение и получить рабочее удостоверение без отрыва от производства.
Сотрудники промышленной области Производство изделий электронной техники обязаны иметь следующие квалификационное удостоверение. Данные документы подтверждают возможность работать по специальности Оператор прецизионной фотолитографии с использованием конкретного оборудования и имеют допуск к своему рабочему месту. Проверки гос органы регулярно проводятся на наличие данных документов в Пущино. Наша организации проводит получение данных документов за 1 день, в соответствие приказа правительства о дистанционном обучением на основание тяжелой эпидемиологической ситуации с COVID-19. На основание данного приказа пройти курсы обучения очно не представляется возможным и проходят заочно. Выдаются все официальные документы дистанционно.
